半导体集成装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种可控硅整流器型ESD保护元件，抑制了电流密度的偏在，使得静电保护电路的面积更小。在半导体衬底的表面上形成了n型阱(11)和夹隔n型阱(11)而分别与其相对、接近的p型阱(12a、12b)。还有，在p型阱(12a)的表面上形成了高浓度n型区域(15a)，在p型阱(12b)的表面上形成了高浓度n型区域(15b)，分别接地。再有，与高浓度n型区域(15a)相对而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度p型区域(14a)，与高浓度n型区域(15b)相对而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度p型区域(14b)，分别与I/O焊盘连接。并且，被高浓度p型区域(14a)和高浓度p型区域(14b)夹着而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度n型区域(13)，与触发元件连接。施加在I/O焊盘上的冲击通过左右的SCR构造而向接地端子释放。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763955A
申请号 ：
CN200510113528.0
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
森下泰之
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陆锦华
优先权 ：
CN200510113528.0
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2009-03-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-06-14 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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