半导体集成电路
专利权的终止
摘要
在LSI布图设计图案的平整化处理中，设置虚拟图案的情况下，设置了信号布线图案(2)的布线层内，设置着相对于信号布线图案(2)倾斜约为45度倾斜角的多个虚拟图案(1)。这些虚拟图案(1)，相对于上层或者是下层相邻的其他布线层中形成的信号布线(3)成约为45度倾斜角交叉。上述信号布线图案(3)的布线层中，设置了相对于这个信号布线图案(3)成约45度倾斜角的多个虚拟图案(13)。上述邻接的两个布线层的虚拟图案(1、13)成约90度的角度交叉。因此，在降低布线电容变动的同时，也尽可能使布线电容变动量均一化。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128921A
申请号 ：
CN200680006348.5
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
川上善之
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200680006348.5
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205 H01L21/82 H01L21/822 H01L23/52 H01L27/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2012-05-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101243509875
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2006800063485
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20110303
号牌文件序号 : 101243509875
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2006800063485
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20110303
2009-04-22 ：
授权
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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