半导体集成电路设备
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的半导体集成电路设备的过热保护电路(1)具有从电源电压(Vcc)中去除高频分量的滤波器装置。具体地讲，过热保护电路(1)具有：带隙电源部分(BG)和电阻器R1和R2，用于产生基准电压(Vref)；晶体管N1，用于温度检测；电阻器R3和R4，用于从电源电压(Vcc)中产生根据晶体管N1的导通/截止装置的控制信号(Sctrl)；晶体管P1，根据控制信号(Sctrl)而导通/截止；以及晶体管N2、电阻器R5和R6，用于产生根据晶体管P1的导通/截止状态的过热保护信号(Stsd)。此外，过热保护电路(1)具有分别与晶体管P1的发射极和集电极连接的电阻器R7和电容器C1，作为滤波器装置。这样，无论电源电压的变化(脉冲叠加)如何，均可以执行高精度过热保护操作。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133489A
申请号 ：
CN200680006781.9
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2006-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
土井干也竹内大树
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200680006781.9
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L27/04 H02M1/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101133489A.PDF
PDF下载
