半导体集成电路
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在由取决于被输入的信号所包含的噪声水平发生劣化的电路构成的模拟电路区(120)和由产生使模拟电路区(120)的电路特性劣化的水平的噪声的电路构成的数字电路区(130)之间，配置仅由产生不使模拟电路区(120)的电路特性劣化(或劣化程度为容许范围)的水平的噪声的电路构成的数字电路区(140)，以使模拟电路区(120)和数字电路区(130)不接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101019224A
申请号 ：
CN200680000755.5
公开（公告）日 ：
2007-08-15
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
掛水隆史福本富彦
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
季向冈
优先权 ：
CN200680000755.5
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L27/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-07-02 ：
实质审查的生效
2007-08-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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