半导体装置、半导体模块、以及半导体封装装置

授权

摘要

具有：半导体基板(32)，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层(33)，包括比半导体基板(32)的第一导电型的杂质的浓度低的浓度的第一导电型的杂质；背面电极(31)，由金属材料构成；以及晶体管(10，20)，被形成在低浓度杂质层(33)内，晶体管(10)在低浓度杂质层(33)的正面具有第一源极电极(11)以及第一栅极电极(19)，晶体管(20)在低浓度杂质层(33)的正面具有第二源极电极(21)以及第二栅极电极(29)，半导体基板(32)，作为晶体管(10，20)的共同漏极区域发挥功能，背面电极(31)的厚度a为25μm以上35μm以下，背面电极(31)的厚度a相对于包括半导体基板(32)和低浓度杂质层(33)的半导体的层厚b的比例a/b为0.32以上。

基本信息

专利标题：

半导体装置、半导体模块、以及半导体封装装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109564941A

申请号：

CN201780047044.1

公开（公告）日：

2019-04-02

申请日：

2017-08-01

授权号：

CN109564941B

授权日：

2022-05-13

发明人：

安田英司今井俊和大河亮介今村武司坂本光章吉田一磨平子正明升元康之曾田茂稔太田朋成

申请人：

松下知识产权经营株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

安香子

优先权：

CN201780047044.1

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/3205 H01L21/768 H01L21/8234 H01L23/12 H01L23/522 H01L25/07 H01L25/18 H01L27/088