半导体装置及半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
提供适于抑制闩锁的半导体装置。在被相邻的有源沟槽夹着的台面区域，第3半导体层具有以与相邻的有源沟槽中的一个有源沟槽接触且与另一个有源沟槽不接触的方式离散地配置于第1方向的区域、以与另一个有源沟槽接触且与一个有源沟槽不接触的方式离散地配置于第1方向的区域，在被相邻的有源沟槽夹着的台面区域，第4半导体层在俯视观察时配置于与一个有源沟槽接触侧的第3半导体层和与另一个有源沟槽接触侧的第3半导体层之间、以及在第1方向上离散的第3半导体层的各区域之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388612A
申请号 ：
CN202111204390.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西康一田中翔曾根田真也小西和也
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111204390.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L27/07 H01L21/28 H01L21/822
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211015
申请日 : 20211015
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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