半导体装置
公开
摘要
半导体装置包括第1芯片以及第2布线层,第1芯片具有基板、形成在所述基板的第1面上的第1布线层,第2布线层形成在所述基板的所述第1面的相反侧的第2面上。所述第2布线层具有提供第1电源电位的第1电源线、提供第2电源电位的第2电源线。所述第1芯片具有第1接地线、提供所述第1电源电位的第3电源线、提供所述第2电源电位的第4电源线、形成在所述基板上并连接所述第1电源线与所述第3电源线的孔、配置有所述第1接地线以及所述第4电源线的第1区域、连接于所述第1接地线与所述第3电源线之间的第1电路。在所述第1电源线与所述第2电源线之间连接开关。俯视下,所述第3电源线、所述孔以及所述第1电路被配置在所述第1区域内。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586144A
申请号 ：
CN201980101587.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2019-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武野纮宜冈本淳王文桢
申请人 ：
株式会社索思未来
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
舒艳君
优先权 ：
CN201980101587.6
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L27/00 H01L27/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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