半导体装置
实质审查的生效
摘要
半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底具有形成有主开关元件构造的有源区域、形成有感测开关元件构造的电流感测区域、以及位于上述有源区域和上述电流感测区域的周围的周边区域。上述半导体衬底是在<11－20>方向上具有偏离角的4H－SiC衬底。上述电流感测区域在沿着<1－100>方向观察时配置在不存在上述有源区域的范围中。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342064A
申请号 ：
CN202080060210.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
上原准市加藤武宽三角忠司山下侑佑
申请人 ：
株式会社电装
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕文卓
优先权 ：
CN202080060210.3
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L27/04 H01L21/8234 H01L27/06 H01L27/088 H01L29/06 H01L29/78 H01L29/12 H01L29/861 H01L29/868
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/822
申请日 : 20200318
申请日 : 20200318
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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