半导体装置
公开
摘要
具备：第1布线(11)；第2布线(12)，不与第1布线(11)连接，并且为了传递与第1布线(11)相同的信号电平而冗余地设置；以及其他布线(21、22)，是与第1布线(11)及第2布线(12)不同的布线；在布线层内，第1布线(11)与第2布线(12)的距离比第1布线(11)与其他布线(21、22)的距离大，并且比第2布线(12)与其他布线(21、22)的距离大。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365284A
申请号 ：
CN202080062985.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-05-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中西和幸平田昭夫
申请人 ：
新唐科技日本株式会社
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕文卓
优先权 ：
CN202080062985.4
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/3205 H01L21/768 H01L23/522 H03K3/356
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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