半导体装置
专利权的终止
摘要
一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在为保护元件不受过电压影响而设置的N型扩散区域窄，击穿电流集中，保护用PN接合区域被破坏的问题。在本发明的半导体装置中，在衬底(2)和外延层(3)上形成有N型埋入扩散层(4)。P型埋入扩散层(5)形成在N型埋入扩散层(4)上面的宽的区域，且形成有过电压保护用的PN接合区域(16)。P型扩散层(6)与P型埋入扩散层(5)连接形成。PN接合区域16的击穿电压比源－漏极间的击穿电压低。根据该结构，可防止击穿电流的集中，且可保护半导体装置不受过电压影响。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828897A
申请号 ：
CN200610007006.7
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
神田良菊地修一大竹诚治
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610007006.7
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L23/62
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2021-01-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/04
申请日 : 20060214
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20200214
申请日 : 20060214
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20200214
2009-01-21 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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