半导体装置
专利权的视为放弃
摘要
一种半导体装置，现有的单片双型MOSFET由于构成使漏极区域共通的两个MOSFET的芯片并列的结构，故漏极区域的电阻值高，装置的导通电阻的降低有限。本发明的半导体装置，将第一源极电极连接的第一MOS晶体管和第二源极电极连接的第二MOS晶体管在一个芯片上相邻交替地配置。在第一源极电极及第二源极电极上分别施加不同的电位，两MOS晶体管通过一个栅极端子进行开关控制。由于电流沿槽周围流动，故可降低导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1776911A
申请号 ：
CN200510125451.9
公开（公告）日 ：
2006-05-24
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳田正道万代忠男
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510125451.9
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2009-06-10 ：
专利权的视为放弃
2006-07-19 ：
实质审查的生效
2006-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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