半导体器件及制造其的方法
专利权的终止
摘要
一种具有SJ结构的半导体器件，其具有耐压值高于单元区域的耐压值的周边区域。在周边区域(23)的半导体层(22)内形成包含第二导电型杂质的半导体上层(52)和包含第一导电型杂质的半导体下层(23)，其中半导体下层的杂质浓度低于构成单元区域的组合的第一部分区域(25、27)。在所述半导体上层(52)的表面上形成场氧化层(54)。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及制造其的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790714A
申请号 ：
CN200510129496.3
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山内庄一服部佳晋冈田京子
申请人 ：
株式会社电装
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
蔡胜利
优先权 ：
CN200510129496.3
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2018-01-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/04
申请日 : 20051209
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20161209
申请日 : 20051209
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20161209
2008-12-17 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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