高抗干扰HP-MOS系列集成电路
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
为降低工业电子装置在抗干扰措施上的费用，我们研究了脉冲数字电路的抗干扰理论，提出了动态噪声容限指标，证明了高速器件不适用于干扰强速度低的场合，设计了HP-MOS系列集成电路，其静态噪声容限接近理想值，优于C-MOS、HTL的抗干扰性能，外接适当电容，其抗干扰性能可与继电器相当。它可广泛用于工业控制电子装置与微型机的接口电路中，使这些装置的造价降低、可靠性提高。
基本信息
专利标题 ：
高抗干扰HP-MOS系列集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85102308A
申请号 ：
CN85102308.8
公开（公告）日 ：
1986-09-17
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85102308B
授权日 ：
1988-07-06
发明人 ：
宁震寰
申请人 ：
郑州大学
申请人地址 ：
河南省郑州市二七区大学路129号
代理机构 ：
河南省专利代理中心
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN85102308.8
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
1992-08-05 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-11-08 ：
授权
1988-07-06 ：
审定
1987-04-01 ：
实质审查请求
1986-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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