MIS半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及采用低温工艺制造高可靠性的MIS半导体器件。公开了一种制造MIS半导体器件的方法，其中，在半导体基片或者半导体薄膜中有选择地形成掺杂区，于是采取预防措施，以便激光或者相当的高强度光能照射到掺杂区和其相邻的有源区之间的边界，并且从上面照射激光或者相当的高光强的光，而达到激活的效果。
基本信息
专利标题 ：
MIS半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1241816A
申请号 ：
CN99108890.5
公开（公告）日 ：
2000-01-19
申请日 ：
1994-01-18
授权号 ：
CN100358143C
授权日 ：
2007-12-26
发明人 ：
山崎舜平竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN99108890.5
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/28 H01L29/786 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2014-03-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101577930912
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL991088905
申请日 : 19940118
授权公告日 : 20071226
终止日期 : 20130118
号牌文件序号 : 101577930912
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL991088905
申请日 : 19940118
授权公告日 : 20071226
终止日期 : 20130118
2007-12-26 ：
授权
2000-01-19 ：
公开
1999-12-22 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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