半导体器件

专利权的终止

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在该半导体器件中，衬底设置有第一布线层111、第一布线层111上的层间绝缘膜132、形成于层间绝缘膜中的孔112A、覆盖孔112A的第一金属层112、形成于孔112A内的第二金属层113、第一金属层112上的电介质绝缘膜135、以及电介质绝缘膜135上的第二布线层114－116，其中，第一金属层112构成下电极的至少一部分，第二布线层114－116面向下电极的区域构成上电极，并由下电极、电介质绝缘膜135和上电极P1构成电容器160。

基本信息

专利标题：

半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1941371A

申请号：

CN200610019886.X

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2006-03-01

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

渡边健一

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

王玉双

优先权：

CN200610019886.X

主分类号：

H01L27/04

IPC分类号：

H01L27/04 H01L21/822

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

法律状态

2022-02-22 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/04
申请日 : 20060301
授权公告日 : 20090603
终止日期 : 20210301

2020-08-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/04
登记生效日 : 20200731
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更后权利人 : 富士通半导体存储方案股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县横浜市
变更后权利人 : 日本神奈川县

2010-11-10 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039209832
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL200610019886X
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县横浜市
变更后 : 日本神奈川县横浜市

2010-11-10 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039209831
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL200610019886X
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横浜市

2009-06-03 ：

授权

2008-12-10 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20081107

2007-05-30 ：

实质审查的生效

2007-04-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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