半导体结构和相关的制造方法
授权
摘要
本发明公开了半导体结构。半导体结构包括：第一导电性的衬底；在衬底中形成的第一导电性的第一区；在第一区中形成的第一导电性的第二区，其中第二区具有比第一区更高的掺杂密度；在第二区中形成第二导电性的源极区；在衬底中形成的第二导电性的漏极区；在第二区中形成并且与源极区相邻的第一导电性的拾取区；以及在第二区的顶面上形成的抗蚀剂保护氧化物(RPO)层。本发明也公开了相关的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构和相关的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107046033A
申请号 ：
CN201611216672.1
公开（公告）日 ：
2017-08-15
申请日 ：
2016-12-26
授权号 ：
CN107046033B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
朱振樑龚达渊霍克孝陈奕寰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201611216672.1
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-02-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/092
申请日 : 20161226
申请日 : 20161226
2017-08-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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