本申请案涉及形成包含阶梯台阶型结构的半导体装置结构的方法及相关半导体装置。一种形成半导体装置结构的方法包括：在衬底上方形成堆叠结构，所述堆叠结构包括若干层级，所述层级各自独立地包括牺牲结构及纵向地邻近所述牺牲结构的绝缘结构。在所述堆叠结构的一部分上方形成掩蔽结构。在所述掩蔽结构上方且在所述堆叠结构的未被所述掩蔽结构覆盖的额外部分上方形成光致抗蚀剂。使所述光致抗蚀剂及所述堆叠结构经受一系列材料移除过程，以选择性地移除所述光致抗蚀剂的部分及所述堆叠结构的未被所述掩蔽结构及所述致抗蚀剂的剩余部分中的一或多者覆盖的部分，以形成楼梯台阶型结构。本发明还描述半导体装置及形成半导体装置结构的额外方法。