具有台阶式多堆叠晶体管结构的半导体装置
公开
摘要
提供了一种具有台阶式多堆叠晶体管结构的半导体装置。该半导体装置包括：基底；第一晶体管，形成在基底上方，第一晶体管包括多个第一纳米片层的第一沟道组、围绕第一纳米片层的第一栅极结构以及在第一沟道组的两端处的第一源区/漏区和第二源区/漏区；以及第二晶体管，在竖直方向上形成在第一晶体管上方，第二晶体管包括多个第二纳米片层的第二沟道组、围绕第二纳米片层的第二栅极结构以及在第二沟道组的两端处的第三源区/漏区和第四源区/漏区，其中，第一沟道组具有比第二沟道组的宽度大的宽度，其中，第一纳米片层的数量比第二纳米片层的数量小，并且其中，第一纳米片层的有效沟道宽度的总和基本上等于第二纳米片层的有效沟道宽度的总和。
基本信息
专利标题 ：
具有台阶式多堆叠晶体管结构的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388608A
申请号 ：
CN202110623194.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-06-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪炳鹤全辉璨黄寅灿徐康一宋昇炫
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄圣
优先权 ：
CN202110623194.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/78 H01L27/088
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
