晶体管元件及半导体布局结构

授权

摘要

本公开提供一种晶体管元件与半导体布局结构。该晶体管元件包含具有至少一主动区的一基板、环绕该主动区的一隔离结构、位于该基板上方的一栅极结构、以及位于该栅极结构的相对立的两侧上的一源极/漏极区。该栅极结构包含沿着一第一方向延伸的一第一部分以及沿着一第二方向延伸的一第二部分，该第二方向垂直于该第一方向。该栅极结构的该第一部分为重叠该主动区与该隔离结构之间的一第一边界。本公开可通过布局优化而轻易缩小半导体布局结构占据的总面积以实现装置缩小。

基本信息

专利标题：

晶体管元件及半导体布局结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109768083A

申请号：

CN201810140599.7

公开（公告）日：

2019-05-17

申请日：

2018-02-11

授权号：

CN109768083B

授权日：

2022-06-03

发明人：

黄瑞成蔡镇宇

申请人：

南亚科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新北市

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司

代理人：

李昕巍

优先权：

CN201810140599.7

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423