双载流子接面晶体管布局结构
授权
摘要
本发明公开一种双载流子接面晶体管布局结构，其包含有一第一射极，该第一射极包含有一对第一侧边与一对第二侧边，且该多个第一侧边垂直于该多个第二侧边。该BJT布局结构尚包含有一对设置于该第一射极的该多个第一侧边的集极，且该第一电极设置于该对集极之间，以及一对设置于该第一射极的该多个第二侧边的基极，且该第一电极设置于该对基极之间。
基本信息
专利标题 ：
双载流子接面晶体管布局结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107316900A
申请号 ：
CN201610351742.8
公开（公告）日 ：
2017-11-03
申请日 ：
2016-05-24
授权号 ：
CN107316900B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
曾元亨
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201610351742.8
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/423 H01L29/735 H01L21/331
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/417
申请日 : 20160524
申请日 : 20160524
2017-11-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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