晶体管结构
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摘要
本发明公开一种晶体管结构，包括基底、晶体管元件、分离式埋入层与第二埋入层。基底具有元件区。晶体管元件位于元件区中。分离式埋入层位于晶体管元件下方的基底中，且包括彼此分离的多个第一埋入层。第二埋入层位于分离式埋入层下方的基底中，且连接多个第一埋入层。第二埋入层与分离式埋入层具有第一导电型。上述晶体管结构可具有较高的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110120414A
申请号 ：
CN201810123483.2
公开（公告）日 ：
2019-08-13
申请日 ：
2018-02-07
授权号 ：
CN110120414B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
陈彦铭李久龄蔡明轩李秋德王智充
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201810123483.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
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法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-09-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20180207
申请日 : 20180207
2019-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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