本实用新型公开了一种晶体管结构，属于半导体技术领域。本实用新型的晶体管结构包括：基底；多个栅极结构，其设置在所述基底上，相邻所述栅极结构之间设有预设间隔距离；侧墙结构，其设置在每个所述栅极结构的两侧；台阶结构，其设置在所述侧墙结构与所述基底的连接处；薄膜层，其设置在所述基底上，且覆盖所述基底、所述多个栅极结构、所述侧墙结构和所述台阶结构。本实用新型解决了由于栅极结构侧墙与基底处薄膜生长速率的差异，造成的在薄膜沉积过程中出现深坑或孔洞等缺陷的问题，这避免了后继接触管道的漏电及器件的失效，从而保证了晶体管产品的质量。