晶体管结构
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摘要
本发明公开一种晶体管结构，包含一基底，一栅极结构设置于基底上，一个六角形沟槽设置于栅极结构的一侧的基底内，一第一外延层包含第一型掺质设置于六角形沟槽中并且接触六角形沟槽，一第二外延层包含第二型掺质设置于六角形沟槽中，其中第一外延层在第二外延层的外侧，第二外延层作为晶体管结构的一源极/漏极掺杂区，第一型掺质和第二型掺质为不同导电型态。
基本信息
专利标题 ：
晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111384143A
申请号 ：
CN201811609713.2
公开（公告）日 ：
2020-07-07
申请日 ：
2018-12-27
授权号 ：
CN111384143B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
刘昇旭黄世贤谈文毅
申请人 ：
联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市翔安区万家春路八九九号
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201811609713.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
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法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-07-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20181227
申请日 : 20181227
2020-07-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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