薄膜晶体管的结构
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摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管的结构。该薄膜晶体管的结构包括一栅极，设置于一基板上；一绝缘层，设置于该基板与该栅极上；一半导体层，设置于部分的该绝缘层上，并且部分该半导体层被定义为一沟道区；一欧姆接触层，设置于该半导体层上；以及一金属层，设置于该欧姆接触层上，并被区分为一源/漏极分别位于该沟道区的两侧，且部分该源/漏极的远离该沟道区的一侧具有至少一第一斜角的侧边。部分该源/漏极的一侧还包括至少一第二斜角的侧边，且该第二斜角的侧边相邻于该第一斜角的侧边，部分该半导体层的一侧具有一阶梯状的侧边。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101567391A
申请号 ：
CN200910133889.X
公开（公告）日 ：
2009-10-28
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石志鸿
申请人 ：
友达光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邱 军
优先权 ：
CN200910133889.X
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/417 H01L21/336
法律状态
2012-06-20 ：
授权
2009-12-23 ：
实质审查的生效
2009-10-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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