薄膜晶体管的结构
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摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管的结构。该薄膜晶体管的结构包括一栅极,设置于一基板上;一绝缘层,设置于该基板与该栅极上;一半导体层,设置于部分的该绝缘层上,并且部分该半导体层被定义为一沟道区;一欧姆接触层,设置于该半导体层上;以及一金属层,设置于该欧姆接触层上,并被区分为一源/漏极分别位于该沟道区的两侧,且部分该源/漏极的远离该沟道区的一侧具有至少一第一斜角的侧边。部分该源/漏极的一侧还包括至少一第二斜角的侧边,且该第二斜角的侧边相邻于该第一斜角的侧边,部分该半导体层的一侧具有一阶梯状的侧边。

基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管的结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101567391A
申请号 :
CN200910133889.X
公开(公告)日 :
2009-10-28
申请日 :
2006-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
石志鸿
申请人 :
友达光电股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
邱 军
优先权 :
CN200910133889.X
主分类号 :
H01L29/786
IPC分类号 :
H01L29/786  H01L29/417  H01L21/336  
法律状态
2012-06-20 :
授权
2009-12-23 :
实质审查的生效
2009-10-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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