一种薄膜晶体管结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种薄膜晶体管结构，包括基板和所述基板上的第一金属层、有源层、第二金属层；所述有源层包括:侧壁有源层，所述第一金属层为柱形结构，第一金属层的底面与基板上表面平行，所述侧壁有源层环绕所述第一金属层的侧面，所述侧壁有源层的侧面与第一金属层的侧面之间形成有源层电通道，且通道内还设有绝缘层；侧壁有源层的顶部两端分别连接有一第二金属层。有效利用第一金属层侧表面与有源层形成有源层导电通道，提高TFT器件反应速率与开态电流，有利于在超高分辨率面板中的应用。并且提供的TFT结构，在器件受到拉伸以及弯折时形变量更小，且可以更好的分散形变产生的应力，使器件保持为稳定，利于未来制造可弯折或可拉伸面板。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020774878.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-12
授权号 ：
CN212230436U
授权日 ：
2020-12-25
发明人 ：
陈宇怀黄志杰
申请人 ：
福建华佳彩有限公司
申请人地址 ：
福建省莆田市涵江区涵中西路1号
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐剑兵
优先权 ：
CN202020774878.1
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/336 H01L21/34 H01L51/05 H01L51/40
法律状态
2020-12-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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