沟槽阵列晶体管结构
授权
摘要
本公开提出一种沟槽阵列晶体管结构，涉及集成电路制造技术领域。沟槽阵列晶体管结构包括衬底基板、沟槽及栅极氧化层。衬底基板具有有源区，其中，所述有源区内设置源极和漏极。沟槽位于所述衬底基板内穿过所述有源区，包括底部、侧壁、第一延伸部及第二延伸部，其中，第一延伸部位于所述侧壁上部的靠近所述源极的一侧，第二延伸部位于所述侧壁上部靠近所述漏极的一侧。栅极氧化层覆盖所述沟槽的所述底部、所述侧壁、所述第一延伸部及所述第二延伸部。本公开提供的技术方案能够有效改善沟槽阵列晶体管容易产生漏电流问题。
基本信息
专利标题 ：
沟槽阵列晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920766457.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-24
授权号 ：
CN209822649U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
杨正杰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201920766457.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/423 H01L29/06
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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