具有最优化应力效应的双沟槽的晶体管结构及其方法
专利权的终止
摘要
一种用于形成部分半导体器件结构(30)的方法，包括：提供绝缘体上半导体基板，其具有半导体有源层(34)、绝缘层(32)和半导体基板。第一隔离沟槽(40)形成在半导体有源层中，并且将应变材料(42)淀积在第一沟槽的底部，其中应变材料包括双用膜。第二隔离沟槽(44)形成在半导体有源层中，其中第二隔离沟槽在第二沟槽底部不具有应变材料。应变材料分别在第一和第二隔离沟槽中的存在和不存在提供了：(i)在半导体器件结构的一个或多个N型或P型器件上的，(ii)关于一个或多个宽度方向或沟道方向取向的，和(iii)用于定制一个或多个<100>或<110>绝缘体上半导体基板的应力益处的差应力。
基本信息
专利标题 ：
具有最优化应力效应的双沟槽的晶体管结构及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101124668A
申请号 ：
CN200580034575.4
公开（公告）日 ：
2008-02-13
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈建迈克尔·D·特纳詹姆斯·E·瓦谢克
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200580034575.4
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/76
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2018-10-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20100224
终止日期 : 20171025
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20100224
终止日期 : 20171025
2010-02-24 ：
授权
2008-04-09 ：
实质审查的生效
2008-02-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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