沟槽MOS场效应晶体管
授权
摘要
本实用新型公开一种沟槽MOS场效应晶体管，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于硅片下表面的重掺杂N型漏极区和位于硅片上表面的中掺杂P型基极区；所述沟槽内下部具有第二N型源极部，此沟槽内上部具有栅极部，所述第二N型源极部和栅极部与沟槽之间填充有第一氧化硅层，所述第二N型源极部和栅极部之间通过第二氧化硅层隔离；相邻所述MOS器件单胞之间的中掺杂P型基极区内具有一N掺杂深阱部，此N掺杂深阱部的上端延伸至中掺杂P型基极区的上表面。本发明沟槽MOS场效应晶体管增加耐压的情况下，将关断时将导通电阻降低。
基本信息
专利标题 ：
沟槽MOS场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021217031.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-28
授权号 ：
CN212342640U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
陈译陆佳顺杨洁雯
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN202021217031.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L27/088
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法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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