双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法
公开
摘要
本申请是关于一种双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括：第一沟槽区、第二沟槽区以及主体区；第一沟槽区和第二沟槽区分别设置在主体区两侧；第一沟槽区包括：金属栅极、第一绝缘层以及纵向设置的控制栅和屏蔽栅；控制栅和屏蔽栅通过第一绝缘层与主体区贴合；主体区包括：漏极、衬底区、漂移区、基体区、N型源区、P型源区以及源极；第二沟槽区包括：由下至上依次设置的浮空金属电极和对称P型区，以及第二绝缘层；浮空金属电极和对称P型区通过第二绝缘层与主体区贴合；屏蔽栅的掺杂类型为P型掺杂。本申请提供的方案，能够有效提高晶体管的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566547A
申请号 ：
CN202210102628.7
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张子敏王宇澄虞国新吴飞钟军满
申请人 ：
无锡先瞳半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810
代理机构 ：
广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈惠珠
优先权 ：
CN202210102628.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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