阶梯型基体区的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请是关于一种阶梯型基体区的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极以及金属栅极；漂移区与衬底区相接，基体区和源区依次设置在漂移区上方；控制栅和屏蔽栅依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和源区相接；源区包括相互平行设置的P型源区和N型源区；P型源区和N型源区的排列方向垂直于控制栅的长度方向；基体区的底面呈阶梯型，且基体区靠近控制栅一侧的基体区底面高度高于另一侧的基体区底面高度；源极设置在源区上方；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。本申请提供方案能够提高晶体管的雪崩耐量。
基本信息
专利标题 ：
阶梯型基体区的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284339A
申请号 ：
CN202111510748.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张子敏王宇澄黄海猛虞国新
申请人 ：
无锡先瞳半导体科技有限公司;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810
代理机构 ：
广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈惠珠
优先权 ：
CN202111510748.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211210
申请日 : 20211210
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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