场效应晶体管及其制备方法
公开
摘要
一种场效应晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一石墨烯纳米带复合结构，该石墨烯纳米带复合结构包括一衬底和多个石墨烯纳米带，所述衬底具有多个间隔设置的凸起，该多个石墨烯纳米带间隔设置在所述衬底上，并且相邻凸起之间具有一所述石墨烯纳米带；以及将一叉指电极设置在所述石墨烯纳米带复合结构的表面，所述叉指电极覆盖所述多个凸起，并与所述多个石墨烯纳米带电连接。
基本信息
专利标题 ：
场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613677A
申请号 ：
CN202011447911.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张天夫张立辉金元浩李群庆范守善
申请人 ：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011447911.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/06 H01L29/16 H01L29/78 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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