一种场效应晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管的制备方法，包括：S10：将包括聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的原料混合，制成高分子溶液；S20：使用探针接触高分子溶液，拉出高分子丝状物，将高分子丝状物固定在基板上；S30：在基板上蒸镀金属，形成电极；S40：洗去基板上的高分子丝状物，得到场效应晶体管；其中，聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的质量比为(1‑3):1。本发明利用高分子丝状物制备具备微纳尺寸沟道的场效应晶体管，操作简单，成本较低，且制备的微纳尺寸沟道的场效应晶体管具有良好的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512611A
申请号 ：
CN202210054314.4
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫勇李洁李莎莎邓群睿罗高丽耿振铎
申请人 ：
河南师范大学
申请人地址 ：
河南省新乡市建设东路46号
代理机构 ：
浙江中桓凯通专利代理有限公司
代理人 ：
李美宝
优先权 ：
CN202210054314.4
主分类号 ：
H01L51/40
IPC分类号 ：
H01L51/40 H01L51/05
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/40
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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