本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法。本发明所提供的有机场效应晶体管，包括一作为栅极的基板，一位于基板上的绝缘层，一位于绝缘层上的源电极和漏电极，其中，在源电极和漏电极电极间设有一有机半导体单晶微/纳米材料，其两端通过二相互间隔的金属膜与源电极和漏电极连接，二金属膜间距为5－20微米。本发明的有机场效应晶体管具有迁移率高而阈值电压低的优良特性，所采用的制备方法具有如下优点：1)整个过程中没有使用有机溶剂，避免了对纳米材料表面的破坏；2)所需设备相对简单，避免了高能粒子对纳米线的辐照和破坏；3)能够制备出规格可控的器件；4)能够控制场效应晶体管的结构并形成良好的电极接触。