一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法
授权
摘要
本申请公开了一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法，所述有机场效应晶体管气体传感器包括绝缘层、气敏材料层、栅电极、源极和漏极；所述绝缘层形成于所述栅电极之上；所述气敏材料层用于与被检测气体反应，所述气敏材料层设于所述绝缘层上方；所述气敏材料层由掺杂有F4TCNQ的气敏材料制作而成；所述源极和所述漏极位于同一层，且均设于所述气敏材料层的上方。本申请通过掺杂有F4TCNQ的气敏材料，能够提高器件的信噪比，同时能够提高器件的灵敏度和选择性等性能。
基本信息
专利标题 ：
一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112432977A
申请号 ：
CN202011295179.X
公开（公告）日 ：
2021-03-02
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
CN112432977B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
宋健李铁刘萌王跃林
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202011295179.X
主分类号 ：
G01N27/12
IPC分类号 ：
G01N27/12 G01N27/414
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-03-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/12
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2021-03-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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