制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管
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摘要
本发明涉及制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管。更具体而言，本发明涉及一种制备垂直有机场效应晶体管的方法，其中具有层配置的垂直有机场效应晶体管被制备在衬底上，所述层配置包含晶体管电极、电绝缘层(25；34)和有机半导体层(28)，晶体管电极也就是第一电极(23；24)、第二电极(23；24)和第三电极(32)。另外，本发明还提供了一种垂直有机场效应晶体管，其包含衬底(21)上的具有晶体管电极的层配置。
基本信息
专利标题 ：
制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107026236A
申请号 ：
CN201710163841.8
公开（公告）日 ：
2017-08-08
申请日 ：
2017-02-03
授权号 ：
CN107026236B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
汉斯·克勒曼格雷戈尔·施瓦茨
申请人 ：
诺瓦尔德股份有限公司
申请人地址 ：
德国德累斯顿
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨青
优先权 ：
CN201710163841.8
主分类号 ：
H01L51/05
IPC分类号 ：
H01L51/05 H01L51/10 H01L51/40
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-01-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/05
申请日 : 20170203
申请日 : 20170203
2017-08-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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