垂直场效应晶体管和用于其构造的方法
公开
摘要
提供一种垂直场效应晶体管(200)，其具有：具有第一导电性类型的漂移区域(212)；在所述漂移区域(212)上或者在所述漂移区域(212)上方的半导体鳍片(302)，在所述漂移区域(212)上或者在所述漂移区域(212)上方的源电极/漏电极(202)；和在所述半导体鳍片(302)的至少一个侧壁旁边横向地布置在所述漂移区域(212)中的屏蔽结构(214)，其中，所述屏蔽结构(214)具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型，其中，所述半导体鳍片(302)与所述源电极/漏电极(202)能导电地连接。
基本信息
专利标题 ：
垂直场效应晶体管和用于其构造的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586173A
申请号 ：
CN202080073919.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-09-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·斯霍尔滕J·巴林豪斯D·克雷布斯
申请人 ：
罗伯特·博世有限公司
申请人地址 ：
德国斯图加特
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭毅
优先权 ：
CN202080073919.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L29/20 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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