用改进的垂直鳍片几何形状制作垂直场效应晶体管器件
授权
摘要
一种垂直传输鳍式场效应晶体管(VTFET)，其在鳍片的顶部具有比在所述鳍片的基部处更小的横截面积，所述垂直传输鳍式场效应晶体管包括：基板(110)；在所述基板(110)上的垂直鳍片(111)，其中所述垂直鳍片(111)在所述垂直鳍片(111)的基部(112)具有横截面积，所述横截面积大于所述垂直鳍片(111)的顶部(113)的横截面积，其中所述垂直鳍片(111)的顶部(113)的横截面积在所述垂直鳍片(111)的基部(112)的横截面积的约10％至约75％的范围内；以及在所述垂直鳍片(111)的所述基部(112)和所述顶部(113)之间的中央栅控区。
基本信息
专利标题 ：
用改进的垂直鳍片几何形状制作垂直场效应晶体管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110326112A
申请号 ：
CN201880013170.X
公开（公告）日 ：
2019-10-11
申请日 ：
2018-02-06
授权号 ：
CN110326112B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
B·A·安德森E·诺瓦克
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN201880013170.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2019-11-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20180206
申请日 : 20180206
2019-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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