Δ-掺杂量子阱场效应晶体管的制作方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种制作Δ-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，该晶体管包括：一基片、超晶格、缓冲层、量子阱、覆盖层以及欧姆接触层。在欧姆层上形成漏极、源极和栅极。各量子阱均按下述方式形成：用有机金属化学汽相淀积工艺在低反应压力下形成第一GaAs层；然后将Si杂质，如SiH4或Si2H6呈Δ-掺杂掺入层内，再用相同的淀积工艺，在同样条件下形成第二CaAs层，从而形成本发明的CaAs/AlGaAsΔ-掺杂量子阱场效应晶体管。
基本信息
专利标题 ：
Δ-掺杂量子阱场效应晶体管的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1070515A
申请号 ：
CN92105604.4
公开（公告）日 ：
1993-03-31
申请日 ：
1992-07-11
授权号 ：
CN1025091C
授权日 ：
1994-06-15
发明人 ：
丁润夏郑东皓张景植
申请人 ：
浦项综合制铁株式会社;产业科学技术研究所
申请人地址 ：
韩国庆尚北道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
姜华
优先权 ：
CN92105604.4
主分类号 ：
H01L29/92
IPC分类号 ：
H01L29/92 H01L21/337
相关图片
法律状态
2005-09-14 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1994-06-15 ：
授权
1993-03-31 ：
公开
1993-03-03 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1025091C.PDF
PDF下载
2、
CN1070515A.PDF
PDF下载
