基于铁电掺杂的拱形不对称可重构场效应晶体管及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于铁电掺杂的拱形不对称可重构场效应晶体管，主要解决现有技术栅控能力弱，器件性能差的问题，其包括：纳米线沟道(1)、源区(2)、漏区(3)、控制栅极(4)、栅极隔离区(5)、编程栅极(6)、载流子控制层(7)和侧墙(8)，该源区和漏区分别位于圆柱状纳米线沟道的两端，载流子控制层和侧墙包裹在纳米线沟道的外侧，且侧墙位于载流子控制层的两端，厚度大于载流子控制层；该控制栅极、栅极隔离区和编程栅极从左到右分布在载流子控制层的外部，其中载流子控制层采用铁电材料，通过改变两个栅极的脉冲极性，使该层极化反转，实现不同类型的载流子掺杂。本发明增强了栅控能力，提高器件性能，可用于可编程逻辑阵列。
基本信息
专利标题 ：
基于铁电掺杂的拱形不对称可重构场效应晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429992A
申请号 ：
CN202111574688.0
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘艳曾培林周久人韩根全郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学杭州研究院
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山经济技术开发区钱农东路8号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN202111574688.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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