场效应晶体管
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种场效应晶体管，具有T栅极(10)，该栅极包括颈部分(16)和伸出颈部分的T条部分(18)，其中颈部分(16)包括多个间隔的支柱(20)。通过由多个间隔的支柱形成颈部分，减小了栅极和沟道之间的接触面积或“有效栅极宽度”，同时T条部分(18)通过桥接支柱(20)确保了通过栅极的电连续性。这减小了输入栅极电容，由此提供了具有提高的器件性能的FET。
基本信息
专利标题 ：
场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101027778A
申请号 ：
CN200580032248.5
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·马赫尔P·M·M·鲍德特
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王庆海
优先权 ：
CN200580032248.5
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/772
相关图片
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-07-16 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : 奥米克有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 法国利梅伊—布雷瓦讷
登记生效日 : 20080613
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : 奥米克有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 法国利梅伊—布雷瓦讷
登记生效日 : 20080613
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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