新型场效应晶体管
授权
摘要
本实用新型涉及晶体管领域的新型场效应晶体管，包括壳体和连接板，所述连接板位于壳体的底部，壳体与的连接板相反的一端设有若干根排针，排针的一端贯穿壳体与连接板电性连接，排针的另一端朝壳体外部延伸，所述连接板的中部设有结构对称的卡槽，连接板的内部设有压紧装置，通过压紧装置使卡槽在进行卡接时起到稳固作用，所述排针的表面设有防滑组件，通过防滑组件使排针在连接时，防止排针产生偏移或连接失效；所述压紧装置包括弹块、橡胶杆和弹簧，弹块位于卡槽的表面，橡胶杆的一端和弹块连接，弹簧置于橡胶杆的外围，通过弹簧所产生的弹性向弹块施加压力；所述防滑组件包括防滑橡胶套和橡胶顶块。
基本信息
专利标题 ：
新型场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122560641.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-25
授权号 ：
CN216311750U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
于荣江
申请人 ：
源旭微电子（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301号银星科技大厦C807
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122560641.0
主分类号 ：
H01L23/043
IPC分类号 ：
H01L23/043 H01L23/10 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/043
中空容器，并有用于半导体本体的引线以及作为安装架的导电基座
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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