场效应晶体管和用于生产场效应晶体管的方法

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摘要

为了提供一种场效应晶体管，包含：栅极电极，配置为施加栅极电压；源极电极和漏极电极，两者都配置为输出电流；有源层，由n型氧化物半导体形成，被提供为与源极电极和漏极电极接触；以及栅极绝缘层，被提供在栅极电极和有源层之间；其中，源极电极和漏极电极的功函数是4.90eV或更大，并且其中，n型氧化物半导体的电子载流子密度为4.0×10¹⁷cm^‑3或更大。

基本信息

专利标题：

场效应晶体管和用于生产场效应晶体管的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109216443A

申请号：

CN201811116958.1

公开（公告）日：

2019-01-15

申请日：

2014-07-25

授权号：

CN109216443B

授权日：

2022-05-17

发明人：

松本真二植田尚之中村有希高田美树子曾根雄司早乙女辽一新江定宪安部由希子

申请人：

株式会社理光

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李文娟

优先权：

CN201811116958.1

主分类号：

H01L29/45

IPC分类号：

H01L29/45 H01L29/786