垂直场效应晶体管和用于其构造的方法
公开
摘要
提供一种垂直场效应晶体管(200)，其具有：带有第一导电性类型的漂移区域(204)；在所述漂移区域(204)上或者上方的半导体鳍片(206)；和在所述半导体鳍片(206)上或者上方的源/漏电极(214，216)，其中，所述半导体鳍片(206)具有能导电的区域(208)和限制结构(210)，所述能导电的区域将所述源/漏电极(214，216)与所述漂移区域(204)能导电地连接，所述限制结构横向地在所述能导电的区域(208)旁边构造并且从所述源/漏电极(214，216)到所述漂移区域(204)去地延伸，其中，所述限制结构(210)设置用于，将所述垂直场效应晶体管在所述半导体鳍片(206)中的导电的通道限制到所述能导电的区域(208)的区上。
基本信息
专利标题 ：
垂直场效应晶体管和用于其构造的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586174A
申请号 ：
CN202080073952.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-09-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·斯霍尔滕J·巴林豪斯D·克雷布斯
申请人 ：
罗伯特·博世有限公司
申请人地址 ：
德国斯图加特
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭毅
优先权 ：
CN202080073952.X
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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