一种低电压垂直型场效应晶体管

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种低电压垂直型场效应晶体管，旨在提供一种栅漏极间电容小、交流反应快的低电压垂直型场效应晶体管。本实用新型包括硅衬底(1)、漏极金属(2)、外延层(8)、氧化层(9)、源极金属(3)、栅极金属(4)、阱区(51)、源区(52)、厚栅氧化层I(60)、薄栅极绝缘层(61)、厚栅氧化层II(62)、多晶硅栅极(7)，所述氧化层(9)内有若干个接触孔，所述源极金属(3)、所述栅极金属(4)填充若干个所述接触孔并分别与所述阱区(51)、所述源区(52)及所述多晶硅栅极(7)相连接，各相邻所述阱区(51)之间上方对应的所述栅极绝缘层(61)中间被所述栅氧化层II(62)隔开。本实用新型可广泛应用于集成电路领域。

基本信息

专利标题：

一种低电压垂直型场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720051793.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-05-23

授权号：

CN201069775Y

授权日：

2008-06-04

发明人：

吴纬国

申请人：

广州南科集成电子有限公司

申请人地址：

510663广东省广州市经济技术开发区科学城光谱中路

代理机构：

广州市红荔专利代理有限公司

代理人：

李彦孚

优先权：

CN200720051793.5

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/423

法律状态

2012-07-25 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101304110660
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2007200517935
申请日 : 20070523
授权公告日 : 20080604
终止日期 : 20110523

2008-06-04 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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