场效应晶体管
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明涉及一种场效应晶体管FET(10)，其包括栅极叠层(29)，一对设置在所述栅极叠层(29)的侧壁上的第一隔离体(32)以及一对设置在所述栅极叠层(29)的相对两侧并与栅极叠层相隔第一距离的单晶半导体合金区(39)。所述FET(10)的源区和漏区(24)至少部分设置在所述半导体合金区(39)中，并由所述第一隔离体(32)对中的相应隔离体与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离，所述第二距离可以不同于所述第一距离。
基本信息
专利标题 ：
场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101969030A
申请号 ：
CN201010278004.8
公开（公告）日 ：
2011-02-09
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈华杰杜雷斯蒂·奇达姆巴拉奥吴尚贤斯德哈萨·潘达沃纳·A·劳施佐藤力亨利·K·尤托莫
申请人 ：
国际商业机器公司;株式会社东芝
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
康建忠
优先权 ：
CN201010278004.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/265
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2018-08-24 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/336
登记生效日 : 20180806
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 国际商业机器公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 株式会社东芝
变更后权利人 : 东芝电子元件及存储装置株式会社
登记生效日 : 20180806
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 国际商业机器公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 株式会社东芝
变更后权利人 : 东芝电子元件及存储装置株式会社
2012-06-20 ：
授权
2011-03-23 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101059698603
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2010102780048
申请日 : 20050929
号牌文件序号 : 101059698603
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2010102780048
申请日 : 20050929
2011-02-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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