垂直场效应晶体管和用于制造垂直场效应晶体管的方法
公开
摘要
在不同的实施例中，提供了一种垂直场效应晶体管(100)。垂直场效应晶体管(100)具有带有第一侧和与第一侧对置的第二侧的沟槽结构(128)。在第一侧上构造场效应晶体管(100)(FET)沟道并且第二侧不具有FET沟道。FET沟道具有氮化镓(GaN)区域和与其邻接的氮化铝镓(AlGaN)区域(110)。GaN区域(132)具有p型导电的第一区(106)和构造在其上的第二区(108)。垂直场效应晶体管(100)还具有源电极(130)，所述源电极与所述GaN区域(132)的p型导电的第一区(106)和所述AlGaN区域(110)导电连接。
基本信息
专利标题 ：
垂直场效应晶体管和用于制造垂直场效应晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342084A
申请号 ：
CN202080060838.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·巴林豪斯
申请人 ：
罗伯特·博世有限公司
申请人地址 ：
德国斯图加特
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭毅
优先权 ：
CN202080060838.3
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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