制造场效应晶体管的方法以及由此制造的晶体管结构
专利权的终止
摘要
公开了一种制造包括由硅鳍和硅主体构成的沟道的场效应晶体管的方法以及通过该方法制造的场效应晶体管，其中该硅鳍的取向与该硅主体不同。该方法包括以下步骤：(a)在包括硅薄膜的基板上形成硬掩模图案；(b)使用该掩模图案作为掩模将硅薄膜各向异性地蚀刻到预定厚度，从而不仅形成其中要形成沟道的硅鳍和其中要形成源/漏区的硅图案，而且形成将硅鳍彼此连接以形成沟道的硅主体；(c)使用有源掩模对硅薄膜进行部分蚀刻，以使源/漏区和该器件彼此隔离；以及(d)在硅沟道周围生长栅极电介质膜，并在所得到的结构上依次淀积栅极材料和栅掩模，然后形成栅区。
基本信息
专利标题 ：
制造场效应晶体管的方法以及由此制造的晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1988116A
申请号 ：
CN200510132690.7
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔梁圭李贤珍
申请人 ：
韩国科学技术院
申请人地址 ：
韩国大田
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
李辉
优先权 ：
CN200510132690.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2014-02-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101571526312
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101326907
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20111214
终止日期 : 20121220
号牌文件序号 : 101571526312
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101326907
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20111214
终止日期 : 20121220
2011-12-14 ：
授权
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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