鳍型场效应晶体管及其制造方法

授权

摘要

本发明描述了鳍型场效应晶体管，包括衬底、绝缘体、栅极堆叠件、密封间隔件、第一偏移间隔件和第二偏移间隔件。衬底具有位于其上的鳍。绝缘体位于衬底上方和鳍之间。栅极堆叠件位于鳍上方和绝缘体上方。密封间隔件位于栅极堆叠件的侧壁上方。第一偏移间隔件位于密封间隔件上方。第二偏移间隔件位于第一偏移间隔件上方。本发明的实施例还涉及鳍型场效应晶体管的制造方法。

基本信息

专利标题：

鳍型场效应晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107346782A

申请号：

CN201611193592.9

公开（公告）日：

2017-11-14

申请日：

2016-12-21

授权号：

CN107346782B

授权日：

2022-05-27

发明人：

蔡俊雄陈科维

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN201611193592.9

主分类号：

H01L29/10

IPC分类号：

H01L29/10 H01L29/423 H01L29/78

法律状态

2022-05-27 ：

授权

2019-04-30 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20161221

2017-11-14 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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