超导体场效应晶体管制造方法
专利权的终止
摘要
一种制造带有电场控制的电流沟道以及栅极、源极和漏极的场效应晶体管的方法，包括以下步骤：设置一种导电的N型(100)取向的掺铌SrTiO3单晶体栅极，铌的掺杂系数为0.001％至10％，所述栅极用作基底；在所述栅极之上淀积一个(100)取向的SrTiO3绝缘层；在SrTiO3绝缘层之上淀积YBa2Cu3O7-δ超导薄膜，其中0≤δ≤0.5；在YBa2Cu3O7-δ层上淀积金属端片，以分别形成源极接点和漏极接点；以及在掺铌的SrTiO3栅极/基底上淀积一个栅极接点。
基本信息
专利标题 ：
超导体场效应晶体管制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1269603A
申请号 ：
CN00103607.6
公开（公告）日 ：
2000-10-11
申请日 ：
1991-12-06
授权号 ：
CN1138301C
授权日 ：
2004-02-11
发明人 ：
贝德诺茨·J·乔治曼哈特·J·迪特尔米勒·C·亚历山大
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN00103607.6
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L39/22
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2011-02-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101038291714
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL001036076
申请日 : 19911206
授权公告日 : 20040211
终止日期 : 20100106
号牌文件序号 : 101038291714
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL001036076
申请日 : 19911206
授权公告日 : 20040211
终止日期 : 20100106
2004-02-11 ：
授权
2000-10-11 ：
公开
2000-09-13 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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