绝缘栅极场效应晶体管及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明的目的在于使相对于衬底表面的有效结深度足够小，该衬底表面具有构造稳定的陡峭PN结并具有形成在其中的与延伸部分有关的沟道。通过各个栅极绝缘膜在P型阱和N型阱上形成栅电极。由两个第一外延生长层形成两个延伸部分，两个第一外延生长层分别与将形成沟道的P型阱和N型阱的区域接触并且彼此相距一定距离。在彼此分开的方向上、在所述第一外延生长层之上与两个延伸部分的相对端进一步相距一定距离的位置上形成两个第二外延生长层。由此，在PMOS侧和NMOS侧中每一侧都形成了两个源极/漏极区。在这种结构的情况下，没有采用将杂质引入到较深部分中的离子注入。因此延伸部分中的杂质不会通过激活退火热扩散到衬底一侧中。

基本信息

专利标题：

绝缘栅极场效应晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819202A

申请号：

CN200610005740.X

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

馆下八州志

申请人：

索尼株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610005740.X

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092 H01L29/78 H01L21/8238 H01L21/336